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【TechWeb】克日，SK海力士公布，已经乐成研发并批量出产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，固然包罗SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存第一次到达单颗1Tb。间隔去年量产96层4D闪存只已往了八个月，SK海力士还暗示，正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

SK海力士的4D NAND闪存技能是去年10月份官宣的，SK海力士这次利用TLC设计开拓新产物，对比先前96层利用的QLC，TLC的机能、处理惩罚速度都有了差异水平的晋升，还应用了垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技能，制造出仓库3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产物，不只到达业界最高仓库数，也逾越三星电子量产的90层NAND。

操作这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，固然层数增加了三分之一，可是制造工艺步调淘汰了5％，整体投资也比之前淘汰了60％。新的128层4D闪存单颗容量1Tb，是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可出产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。

SK海力士相关人士暗示，新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高机能、低功耗的手机存储、企业级SSD。